Jau pirmame kūrimo etape tokia sistema pavyko padvigubinti mikroschemų našumą arba 85 proc. sumažinti energijos sunaudojimą. Tokia technologija bus galima apeiti Moore'o dėsnį, ir sukurti išmaniuosius telefonus, kurie galės veikti savaitę be įkrovimo, pasakojo IBM.
Bendras IBM ir Samsung kūrinys vadinamas „vertikaliais transportiniais lauko tranzistoriais“ (VTFET). Ši sistema radikaliai skiriasi nuo dabartinių modelių, kuriuose tranzistoriai išdėstyti ant silicio plokštelės greta vienas kito, o elektros srovė teka per šonus. VTFET konstrukcija daugiasluoksnė — tokiuose procesoriuose tranzistoriai išdėstyti tiek šalia vienas kito, tiek ir virš vienas kito, o srovė teka vertikaliai.
Kaip rašo „Engadget“, tokia konstrukcija IBM ir Samsung klientams suteikia du esminius pranašumus. Pirmiausia, ja bus galima išvengti daugelio našumo ribojimų ir praplėsti Moore'o dėsnį už dabartinės nanolapelių technologijos ribų.
Bendras IBM ir Samsung tyrimas parodė, kad netgi bandomieji pavyzdžiai būsimų procesorių skaičiavimo potencialą padidina du kartus. Ir jie taip pat gali sumažinti mikroschemų energijos sąnaudas 85 proc.
IT gigantų inžinieriai pažymėjo, kad išmanieji telefonai ir kita VTFET pagrindu sukurta elektronika galės visą savaitę veikti vienu įkrovimu. Be to, IBM manymu, naujoji technologija gali praversti kasant kriptovaliutas, taip sumažinant jų energijos poreikius ir atitinkamai, sumažinant žalą aplinkai.
Be Samsung ir IBM, analogiškas mikroschemas kuria ir Intel korporacija. Neseniai atliktame tyrime, skirtame technologiniam progresui po 2025-ųjų metų, Intel analitikai paskelbė, kad netrukus didžiausios IT kompanijos pradės pereiti prie trimačių lustų — jų kūrimas bus sudėtingesnis ir brangesnis, tačiau pačios technologijos bus nepalyginamai našesnės.
Anksčiau šiais metais MIT, Nacionalinio Taivano universiteto (NTU) ir TSMC kompanijos inžinieriai irgi pranešė, kad yra pasirengę apeiti Moore'o dėsnį. Tarptautinė grupė sukūrė procesą, panaudodami pusmetalį bismutą, kuriuo pasinaudojant, galima gaminti puslaidininkius 1 nm technologiniu procesu. Kol kas dar vyksta technologijos ankstyvieji bandymai, bet autoriai jau žada keturgubą praktiškai visos elektronikos našumo padidėjimą.
